Correction of the drift mobility measurements in GaAs MESFETS

Κουρκουτάς, Κωνσταντίνος Δ.; Ευθυμίου, Π.Κ.; Szentpali, B.; Kocacs, B.; Somogyi, K.
URI: http://hdl.handle.net/11400/9709
Ημερομηνία Δημοσίευσης: 1991-06
Τύπος Τεκμηρίου: Δημοσίευση σε περιοδικό
Όνομα Περιοδικού: Solid State Communications
Drift mobility and electron concentration values in GaAs MESFETs obtained by capacitance-conductance measurements are corrected by means of a self-consistent iterative procedure. The final results are compared with the experimental Hall mobility data for the same wafer. It is found that the agreement is good for temperatures T > 175 K.
Πηγή: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038109891906337
Θέμα: Science, Physics, Επιστήμες, Φυσική

Εμφάνιση πλήρους εγγραφής

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

  • [PDF]
    Όνομα: 1-s2.0-0038109891906337-main.pdf
    Μέγεθος: 313.0Kb
    Μορφότυπο: PDF
    ­ Άνοιγμα

Οι παρακάτω άδειες σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο:

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες Εκτός από όπου ορίζεται κάτι διαφορετικό, αυτή η άδεια περιγράφεται ως Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες