Εμφάνιση απλής εγγραφής

dc.contributor.author Παγώνης, Δημήτριος-Νικόλαος el
dc.contributor.author Πετρόπουλος, Αναστάσιος el
dc.contributor.author Καλτσάς, Γρηγόριος el
dc.contributor.author Νασσιοπούλου, Ανδρούλα Γ. el
dc.contributor.author Τσερέπη, Αγγελική Δ. el
dc.date.accessioned 2015-05-27T18:50:14Z
dc.date.available 2015-05-27T18:50:14Z
dc.date.issued 2015-05-27
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/11400/11273
dc.rights Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.source http://www.wiley-vch.de/ en
dc.subject Silicon layer
dc.subject Lithography
dc.subject Microchannels
dc.subject Microfluidic flow sensor
dc.subject Στρώμα πυριτίου
dc.subject Λιθογραφία
dc.subject Μικροκανάλια
dc.subject Μικρορροϊκός αισθητήρας ροής
dc.title Novel microfluidic flow sensor based on a microchannel capped by porous silicon en
heal.type journalArticle
heal.classification Technology
heal.classification Electrical engineering
heal.classification Τεχνολογία
heal.classification Ηλεκτρολογία Μηχανολογία
heal.classificationURI http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85133147
heal.classificationURI http://zbw.eu/stw/descriptor/18426-4
heal.classificationURI **N/A**-Τεχνολογία
heal.classificationURI **N/A**-Ηλεκτρολογία Μηχανολογία
heal.identifier.secondary DOI: 10.1002/pssa.200674389
heal.language en
heal.access campus
heal.publicationDate 2007-05
heal.bibliographicCitation PAGONIS, D.-N., PETROPOULOS, A., KALTSAS, G., NASSIOPOULOU, A.G. & TSEREPI, A.D. (2007). Novel microfluidic flow sensor based on a microchannel capped by porous silicon. Physica Status Solidi (A). [online] 204 (5). p. 1474-1479. Available from: http://www.wiley-vch.de/[Accessed 02/05/2007] en
heal.abstract This work concerns the fabrication, modeling and characterization of a novel microfluidic flow sensor based on a microchannel capped with a porous silicon membrane, on top of which the sensor active elements are integrated. The microchannel is formed through a two-step anodization process. In the first step a mesoporous silicon layer is formed on a lithographically defined area, while in the second step a channel is formed underneath the porous layer by electropolishing. The channel is buried into bulk silicon and capped with a free-standing porous silicon layer, which is co-planar with the Si substrate. The overall developed process for the formation of the device will be described and simulation and device characterization results will be presented. en
heal.publisher Wiley-VCH Verlag en
heal.journalName Physica Status Solidi (A) en
heal.journalType peer-reviewed
heal.fullTextAvailability true


Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

  • Όνομα: Pagonis_et_al-2007-physica_sta ...
    Μέγεθος: 284.0Kb
    Μορφότυπο: PDF

Οι παρακάτω άδειες σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο:

Εμφάνιση απλής εγγραφής

Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες Εκτός από όπου ορίζεται κάτι διαφορετικό, αυτή η άδεια περιγράφεται ως Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες