Thermally activated conduction mechanisms in silicon nitride MIS structures

dc.contributor.author	Καναπίτσας, Αθανάσιος	el
dc.contributor.author	Τσώνος, Χρήστος	el
dc.contributor.author	Τριάντης, Δήμος Α.	el
dc.contributor.author	Σταύρακας, Ηλίας	el
dc.contributor.author	Αναστασιάδης, Κίμων	el
dc.date.accessioned	2015-06-22T17:53:20Z
dc.date.issued	2015-06-22
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11400/17630
dc.rights	Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.source	http://www.elsevier.com/	en
dc.title	Thermally activated conduction mechanisms in silicon nitride MIS structures	en
heal.type	journalArticle
heal.classification	Science
heal.classification	Physics
heal.classification	Επιστήμη
heal.classification	Φυσική
heal.classificationURI	http://zbw.eu/stw/descriptor/15685-2
heal.classificationURI	http://zbw.eu/stw/descriptor/15669-0
heal.classificationURI	N/A-Επιστήμη
heal.classificationURI	N/A-Φυσική
heal.dateAvailable	10000-01-01
heal.access	forever
heal.journalName	Thin Solid Films	en
heal.journalType	peer-reviewed
heal.fullTextAvailability	false