Determining the impact of statistical fluctuations on resist line edge roughness

Leunissen, L. H. A.; Ercken, Monique; Πάτσης, Γεώργιος
URI: http://hdl.handle.net/11400/10736
Ημερομηνία Δημοσίευσης: 2005-03
Τύπος Τεκμηρίου: Δημοσίευση σε περιοδικό
Όνομα Περιοδικού: Microelectronic Engineering
Line edge roughness of chemically amplified resists depends on many parameters. In a practical situation, all settings are chosen to be at their optimum, giving the smallest LER. Starting from this situation, the trade-off between four important parameters (shot noise, secondary electron drift, resist polymer size and post-exposure bake diffusion), is investigated in this paper.
Πηγή: http://www.sciencedirect.com / http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931704005398
Θέμα: Technology, Electronics, Τεχνολογία, Ηλεκτρονική

Εμφάνιση πλήρους εγγραφής

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο

Αρχεία Μέγεθος Μορφότυπο Προβολή

Δεν υπάρχουν αρχεία που σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο.

Οι παρακάτω άδειες σχετίζονται με αυτό το τεκμήριο:

Αυτό το τεκμήριο εμφανίζεται στην ακόλουθη συλλογή(ές)

Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες Εκτός από όπου ορίζεται κάτι διαφορετικό, αυτή η άδεια περιγράφεται ως Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες